题目：氧离子导体的缺陷结构和离子迁移机制

报告人：匡小军 研究员

主持人：王春海

时间：2021.7.22 15:00-16:00

地点：公字楼328

报告简介：缺陷普遍存在于晶态固体中，是影响固体物质的光、电、磁、热、催化等功能性质的重要因素。缺陷结构的精准描述和对功能性质的作用机制是功能固体材料领域的重要科学问题之一。缺陷一般含量较低，在现有条件下，人们依旧需要花费很大的精力借助于多种先进以及互补的实验和理论手段来研究缺陷结构并探索材料的构效关系。本报告将介绍报告人团队如何利用包括粉末衍射、固态核磁共振、第一性原理计算和分子动态模拟在内的多种互补方法确定黄长石、白钨矿、磷灰石等一些基于四面体的氧离子导体的缺陷结构，阐述氧离子缺陷稳定和迁移机理。

报告人简介：

匡小军，1978年2月出生于江西泰和，研究员，理学博士，博士生导师，国家优秀青年基金获得者，桂林理工大学化学与生物工程学院经理，广西光电材料与器件重点实验室主任。研究方向为无机材料与固体化学；从事介质材料和固态离子导体等电子功能陶瓷材料的合成，性质、(缺陷)结构及构效关系等基础研究。目前以第一或通讯作者身份在Nat. Mater.、Nat. Commun.、J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem.、Chem. Mater.、J. Mater. Chem. A、Adv. Electron. Mater.、Inorg. Chem.等期刊上发表50 余篇学术论文。